Bu məqalə Science X-nin redaktorluq prosesi və siyasətlərinə uyğun olaraq nəzərdən keçirilib. Tərcüməçilər məzmunun etibarlılığını təmin edərkən aşağıdakı xüsusiyyətləri vurğulayıblar:
Penn State tədqiqatçıları kristal böyüməsi zamanı silikon karbidinin bərkdən buxar halına necə dəyişəcəyi barədə atom miqyasında bir model təkmilləşdiriblər. Bu, istehsalçılara qabaqcıl elektronika üçün daha yüksək keyfiyyətli material istehsal etməyə kömək edə biləcək işdir.
The Journal of Physical Chemistry C-də dərc edilmiş tədqiqat Penn State'nin Silicon Carbide Innovation Alliance və ya SCIA-nın ilk nəşri, sənaye-universitet tədqiqat tərəfdaşlığıdır.
Silikon karbid (SiC) elektrikli avtomobillər və təmiz enerji sistemləri daxil olmaqla yüksək güc elektronikasında istifadə olunan kristallı bir materialdır. Materialı əritərək və sonra bərk bir qayaya soyuduqla yetişdirilə bilən digər kristallara fərqli olaraq silikon karbid fiziki buxar nəqliyyatı (PVT) istifadə edərək yetişdirilir. Bu prosesdə bərk silikon karbid birbaşa buxar halına çevrilənə qədər qızdırılır, sonra toxum kristallına yerləşir və daha böyük bir kristallı qurur.
Proses qapalı bir fırın içində həddindən artıq temperaturda baş verdiyindən, tədqiqatçılar bir qayın ilk olaraq maye olmadan bir buxar halına çevrilmədiyi zaman, sublimasiyanın ilk mərhələlərini asanlıqla müşahidə edə bilmirlər və ya bu buxarda hansı molekulların olduğunu müəyyən edə bilmirlər.
"Bu həddindən artıq şərtlər səbəbindən, qapalı PVT fırının içərisində birbaşa in situ təcrübə müşahidə etmək demək olar ki, mümkün deyil və bu, erkən mərhələdə sublimasiya və buxar dinamikası haqqında anlayışımızda kritik boşluq qoyur", - Penn State-də mexaniki mühəndislik üzrə tədqiqat professoru Yun Kyung Shin deyib və tədqiqatın baş müəllifidir.
Xülasə — davamını mənbədə oxuyun.
