Bu məqalə Science X-nin redaktorluq prosesi və siyasətlərinə uyğun olaraq nəzərdən keçirilib. Tətbiqi redaktorlar məzmunun etibarlılığını təmin edərkən aşağıdakı xüsusiyyətləri vurğulayıblar:
Silikon karbid (SiC) əla istilik davamlılığı və kimyəvi sabitliyi ilə tanınan bir keramika, bu da elektronika, katalizatorlar və enerji ilə əlaqəli materiallar kimi geniş tətbiqlər üçün cəlbedici edir. Bununla birlikdə, SiC ümumiyyətlə yüksək temperaturda emal tələb edir və eyni zamanda nanometr miqyasında porus qurğuların formalaşdırılması və idarə edilməsi çətinlik çəkir.
Tohoku Universitetinin Materiallar Araşdırmaları İnstitutunun (IMR) rəhbərlik etdiyi bir tədqiqat qrupu bu çətinliyə cavab vermək üçün bir yol tapıb. Komanda yalnız 800 °C (1472 °F) temperaturda kristallin β-SiC-ni uğurla formalaşdırdı, bu da tipik olaraq nanostrukturlaşdırılmış SiC-ni istehsal etmək üçün istifadə olunan temperaturlardan əhəmiyyətli dərəcədə aşağıdır.
Tədqiqat "Scripta Materialia" jurnalında dərc olunub.
Proses eyni zamanda üç ölçülü bir şəkildə bir-biri ilə əlaqəli nanoskala lövhələrdən hazırlanmış fərqli porus bir memarlıq yaratdı.
Tədqiqatçılar sıx metalların (LMD) çıxarılması vasitəsilə nanoporous β-SiC-yə yeni bir yol hazırladılar. LMD, bir xüsusi elementin seçkin şəkildə çıxarılması üçün bir əriməmiş metalda bir neçə element ehtiva edən möhkəm prekursoru daldıraraq işləyir.
Xülasə — davamını mənbədə oxuyun.
