Bu məqalə Science X-nin redaktorluq prosesi və siyasətlərinə uyğun olaraq nəzərdən keçirilib. Tərcüməçilər məzmunun etibarlılığını təmin edərkən aşağıdakı xüsusiyyətləri vurğulayıblar:
Silikiy səthinin yaxınlığında dopant konsentrasiyasının nəzarəti ultrasıxı cəngavərliklər və nanoskala qurğular üçün getdikcə daha vacibdir. Qarışıq mono qatlı dopinq (MMLD) dopant tərkibində olan molekulların istiləşmədən əvvəl silikon səthində mövcud olan dopant miqdarını tənzimləmək üçün dopant tərkibində olmayan molekullarla qarışdırılması ilə səth kimyəvi əsaslı bir yanaşma təklif edir.
Yeni bir araşdırmada Ecole Polytechnique Federale de Lausanne-nin tədqiqatçıları fosforlu allyldiphenylphosphine (ADP) və 1-undecen molekullarının qarışıq mono qatları istifadə edərək silikonu doped etdilər. Komanda, qalıq karbonunu çıxarmaq üçün molekulyar graftdən sonra O2 plazmanın külləməsinin istifadəsi ilə araşdırdı. X- şüa fotoelektron spektroskopiyası (XPS) plazma müalicəsinin karbon tərkibini azaldığını və əsasən fosfor saxladığını təsdiqləyib.
Kelvin sonda qüvvəsi mikroskopiyası (KPFM) ADP konsentrasiyasının artması ilə silikon iş funksiyasında sistematik azalma aşkar etdi. Small Methods jurnalında dərc edilmiş nəticələr, SiO2 capping metodunun ölçülən səth reaksiyasına güclü təsir etdiyini də göstərdi: oxumalı SiO2 O2 plazma müalicəsi ilə birləşərək n- tip davranışa doğru ən aydın inkişafı təmin etdi, tükürülmüş SiO2 isə güclü iş funksiyasının qovulmasına səbəb oldu.
Dörd nöqtəli sonda və Hall effekt ölçülərindən istifadə edən elektrik xarakterizasiyası, ADP məzmununun artması ilə ötürücülik və daşıyıcı konsentrasiyasının artdığını təsdiqlədi. Bununla birlikdə, bu toplu inteqrasiya ölçülərində plazma ilə müalicə olunan və müalicə edilməyən nümunələr arasında əhəmiyyətli fərq müşahidə edilməyib. Bu, bir qatlı doplanmış silikonun qiymətləndirilməsində səth yaxınlığında elektron xüsusiyyətlər və kütləvi elektrik nəqliyyatı arasında fərqləndirilməsinin əhəmiyyətini vurğulayır.
Ümumiyyətlə, iş kiçik molekullarla plazma ilə köməkli MMLD-ni silikon dopinqinə perspektivli, uyğunlaşdırıla bilən yanaşma olaraq göstərir, eyni zamanda səth həssaslığı və elektrik xarakterizasiya texnikalarının birləşdirilməsinin əhəmiyyətini vurğulayır. Bu cür səth yaxınlığında dopinq nəzarəti xüsusilə nanoskala və yeni yaranan kvant qurğular üçün əhəmiyyətlidir.
Xülasə — davamını mənbədə oxuyun.
