Bu məqalə Science X-nin redaktorluq prosesi və siyasətlərinə uyğun olaraq nəzərdən keçirilib. Tətbiqi redaktorlar məzmunun etibarlılığını təmin edərkən aşağıdakı xüsusiyyətləri vurğulayıblar:
Məlumat yaddaşda yazıldıqda nanoskala nə olur? KAIST-dəki tədqiqatçılar, daha əvvəl yaranmış bölgələrdə yeni bir polarizasiya istiqaməti olan kiçik regionların perspektivli ferolektri materialda necə genişlənməsini göstərdilər. Bu nanoskala dəyişikliklərini elektrik ölçüləri ilə əlaqələndirərək, komanda hər iki prosesi əhatə edən bir model hazırlayıb və daha sürətli və daha sabit yaddaş dizaynı üçün əsas təklif edir.
Materiallar Elmi və Mühəndislik Departamentindən professor Seungbum Hongun rəhbərlik etdiyi bir komanda, hafnium zirkon oksidində (HZO) məlumatların necə qeydə alınmasını müəyyənləşdirdi.
Nano Letters jurnalında dərc olunan tədqiqat, KAIST-in Elektrik Mühəndisliyi Fakültəsində professor Byung Jin Cho-nun komandası və Almaniyanın NaMLab/TU Dresden-dəki tədqiqatçılar ilə əməkdaşlıq edərək aparılıb.
Tədqiqat qrupu ferroelektrik üzərində qurulmuşdur. Ferroelektrik materiallar tətbiq olunan gərginlik aradan qaldırıldıqdan sonra elektrik polarizasiyasını saxlaya bilərlər. Bu istiqaməti geri çevirmək materialın məlumatı 0 və 1 kimi saxlamağını təmin edir. Bir materialın içindəki müsbət və mənfi yüklərin müəyyən istiqamətdə uyğunlaşdırıldığı elektrik vəziyyətinə polarizasiya deyilir.
HZO yarımüçərgıçılar istehsalında geniş istifadə olunan material olan hafnium oksidini zirkonum oksidlə birləşdirir. Yarımüriplik istehsal prosesləri ilə uyğunluğu onu güc olmadan məlumatları saxlayan qeyri-volatil yaddaş üçün cəlbedici edir.
Xülasə — davamını mənbədə oxuyun.
