Bu məqalə Science X-nin redaktorluq prosesi və siyasətlərinə uyğun olaraq nəzərdən keçirilib. Tərcüməçilər məzmunun etibarlılığını təmin edərkən aşağıdakı xüsusiyyətləri vurğulayıblar:
Husker tədqiqat qrupunun son araşdırması bir gün elektrik xüsusiyyətləri növbəti nəsil elektronika, yüksək sıxlıqlı enerji saxlama, yaxşı kompüter yaddaşı və soyuducu yeni strategiyaların daha geniş istifadəsinə qapı açar.
Nebraska Universitetinin "Science" jurnalında dərc olunan yeni məqalədə, "Lincoln" tədqiqatçıları Xiaoshan Xu, Alexei Gruverman və Evgeny Tsymbal, hafnium oksidinin müasir elektronikalarda geniş istifadə olunan sərt, istiliyə davamlı kimyəvi bir birləşməsinin özəl olaraq antiferroelektrik olduğunu, çox az materialda tapılan nadir bir keyfiyyət olduğunu göstərirlər. Hafnium oksidindən fərqli olaraq, hafniya olaraq da bilinən bir çox daxili antiferroelektrik materialda toksin boru var, bu da onların geniş yayılmış istifadəsini məhdudlaşdırır.
Üçlük bu kəşfinin hafniyanın xüsusiyyətləri ilə bağlı uzunmüddətli mübahisənin həllinə kömək edəcəyini söylədi. Alimlər materialın antiferroelektrik davranışını uzun müddət müşahidə etsələr də, "həqiqi" antiferroelektrikdən və ya elektrik yüklərinin tələsməsindən və ya yenidən paylanmasından irəli gələn süni təsirdən irəli gəldiyini düşünməyiblər.
"Qəzet çox həyəcan verici", - baş müəllif Xu, Susan J. Rosowski Fizika və astronomiya professoru. "Biz təkcə bu yeni materialı təbii bir ferroelektrik enerjisi ilə kəşf etməmişik, həm də material artıq mobil telefonlarımız və kompüterlərimiz də daxil olmaqla, mövcud olan müasir elektronika ilə uyğunlaşır. Bu, onu ferroelektrik olan digər materiallardan fərqləndirir".
Kağıd bir addım daha irəli gedir və hafniyanın bir prototyp olaraq xidmət edə biləcəyini irəli sürür. Bu da təlim və tədqiqat məqsədləri üçün materiallar sinifini təmsil edə biləcəyini bildirir. Kompozisiyası antiferroelektrikinin klassik tərifinə uyğun gəlir: materialın müsbət və mənfi atomları neytral atomlar tərəfindən ayrılır.
Xülasə — davamını mənbədə oxuyun.
